首页> 外文OA文献 >Imaging resonant dissipation from individual atomic defects in graphene
【2h】

Imaging resonant dissipation from individual atomic defects in graphene

机译:成像石墨烯中单个原子缺陷的共振耗散

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Conversion of electric current into heat involves microscopic processes thatoperate on nanometer length-scales and release minute amounts of power. Whilecentral to our understanding of the electrical properties of materials,individual mediators of energy dissipation have so far eluded directobservation. Using scanning nano-thermometry with sub-micro K sensitivity wevisualize and control phonon emission from individual atomic defects ingraphene. The inferred electron-phonon 'cooling power spectrum' exhibits sharppeaks when the Fermi level comes into resonance with electronic quasi-boundstates at such defects, a hitherto uncharted process. Rare in the bulk butabundant at graphene's edges, switchable atomic-scale phonon emitters definethe dominant dissipation mechanism. Our work offers new insights for addressingkey materials challenges in modern electronics and engineering dissipation atthe nanoscale.
机译:电流转化为热涉及微观过程,该过程在纳米长度尺度上运行并释放出微量的能量。尽管对我们了解材料的电学特性很重要,但迄今为止,能量耗散的各个中介者尚无法直接观察。使用具有亚微米K灵敏度的扫描纳米温度计,我们可以可视化并控制单个石墨烯原子缺陷中声子的发射。当费米能级在这种缺陷处与电子准束缚态发生共振时,推断出的电子声子“冷却功率谱”将显示出尖峰,这是迄今为止未知的过程。可转换的原子级声子发射体很少见,但在石墨烯的边缘处大量存在,因此定义了主要的耗散机制。我们的工作为应对纳米级现代电子学和工程耗散中的关键材料挑战提供了新见解。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号